丙二醇甲醚醋酸酯(Propylene Glycol Methyl Ether Acetate)
芯片制造光刻工序专属稀释剂 · 适配G5级TMAH显影液
| 产品名称 | 电子级稀释剂 PMA(丙二醇甲醚醋酸酯) |
|---|---|
| 纯度 | ≥99.9% |
| 金属离子 | ≤10 ppb |
| 水分含量 | ≤0.1% |
| 沸点 | 146℃ |
| 适配工艺 | 芯片光刻 / G线·I线光刻 / 5nm先进制程 |
以高纯度、高兼容性、高安全性为核心，赋能芯片光刻工艺升级
采用精馏+精密过滤双重纯化工艺,纯度≥99.9%,金属离子≤10ppt,水分≤0.1%,无杂质、无异味,杜绝因稀释剂纯度不足导致的光刻残胶、图形畸变,适配5nm先进制程芯片光刻严苛要求。
化学性质稳定,与G5级TMAH 2.38%显影液混合无沉淀、无反应,可灵活调节显影液浓度,适配不同芯片光刻工序需求,不影响显影速率与图形精度,是TMAH显影液的专属配套稀释剂。
具备优异的溶解性与润湿性,可辅助TMAH显影液快速渗透光刻胶,减少显影死角，降低侧蚀、底切风险，改善光刻图形边缘清晰度，助力提升芯片光刻良率与器件可靠性。
与G5级TMAH 2.38%光刻显影液协同作用，为高端芯片制造提供完整解决方案
OLED芯片专用 · 99.999%纯度
金属离子≤10ppt · 适配红绿蓝光OLED
芯片制造光刻专用 · 99.9%纯度
金属离子≤10ppb · 辅助显影残留清洗
聚焦芯片制造全流程，覆盖光刻核心工序及关联场景
作为光刻胶专用稀释剂,可精准调节光刻胶浓度,适配G线、I线光刻工艺,适配5nm及以上先进制程、中低端功率芯片等不同规格芯片的光刻需求,确保光刻胶均匀涂布，提升涂布平整度。
专属配套G5级TMAH 2.38%光刻显影液，可根据芯片光刻工序（发光层、空穴传输层等）需求，灵活调节显影液浓度，不影响显影速率与图形精度，助力精准显影，减少光刻缺陷。
可用于芯片光刻后光刻胶残留、显影液残留清洗,溶解残留杂质且不损伤芯片基底,适配100级洁净室操作标准,保障芯片表面洁净度，助力提升芯片良率与可靠性。
全程100级洁净室生产灌装,每批次提供权威检测报告